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台积电3纳米芯片研发近期获得突破决定8月以第2版3纳米制程工艺投产
2022-04-12 06:42      来源:TechWeb      编辑:杜玉梅      阅读量:14146   

据联合报报道,台积电3纳米芯片研发近期获得突破,该公司决定8月以第2版3纳米制程工艺投产。

台积电3纳米芯片研发近期获得突破决定8月以第2版3纳米制程工艺投产

报道称,一度因开发时程延误的台积电3nm制程近期获得重大突破,延误曾导致苹果公司新一代处理器仍采用5nm加强版N4P台积电决定今年率先量产第二版3nm 制程N3B,将于今年8月于新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂 P5厂同步投片,正式以鳍式场效晶体管架构,对决三星的环绕闸极制程

台积电的3nm 制造工艺仍将在今年晚些时候投入生产进入生产的变体被称为N3B,Digitims 预计初始产量将在每月4万至5万片之间N3B之后,很快就会有一个被称为N3E的高级变体,预计将在2023年投入生产

而产业链方面的消息还显示,芯片厂商英特尔的高管,将在本月中旬到访台积电,洽谈3nm工艺芯片的代工事宜。

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