，瑞萨电子宣布推出新一代Si—IGBT器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功耗针对下一代电动汽车逆变器的应用，AE5 IGBT产品将于2023年上半年在日本Nako的瑞萨工厂的200mm和300mm晶圆线上量产此外，瑞萨将从2024年上半年开始增加其位于日本嘉福的新型功率半导体器件300mm晶圆厂的产量，以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求

与当前一代AE4产品相比，IGBT的硅基AE5工艺可降低10%的功率损耗这项节能技术将帮助电动汽车开发商节省电池电量，增加行驶里程新产品在保持高鲁棒性的同时，体积也缩小了10%左右这种新的瑞萨设备通过在低功耗和高鲁棒性之间达到最佳平衡，达到了IGBT行业的性能水平这种IGBT最大限度地减少了IGBT之间的参数变化，并在IGBT并行运行时带来了稳定性，从而显著提高了模块的性能和安全性这些特性为工程师提供了更大的灵活性，有助于他们设计出高性能的小型逆变器

在电动车辆中，驱动车辆的电机由逆变器控制由于逆变器将DC转换为电动汽车电机所需的交流电，因此IGBT等开关器件对于最小化电动汽车的功耗至关重要为了帮助开发人员，瑞萨推出了xEV逆变器参考解决方案该硬件参考设计结合了IGBT，微控制器，电源管理IC，栅极驱动器IC和快速恢复二极管瑞萨还提供xEV逆变器套件作为参考设计的硬件实现此外，瑞萨还推出了电机参数校准工具，以及xEV变频器的应用模型和软件，将电机控制的应用模型与实例软件相结合这些工具和支持程序旨在帮助用户简化他们的软件开发瑞萨还计划将新一代IGBT添加到这些硬件和软件开发套件中，以便在更小的空间内实现更高的能效和性能

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