,近来 NAND 闪存客户需求低迷,IT之家早前曾报道,三星电子此前计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备,并暂停存储芯片第六代 V-NAND 成熟型制程报价。
此前据外媒 BusinessKorea 报道,在市场需求未明显好转的情况下,三星电子和 SK 海力士正面临不小的压力,库存依旧处在高位,下半年考虑将继续减产。
而据外媒引用供应链消息表示,今年第三季度 DRAM 芯片的平均价格将延续下跌态势,环比跌幅 5%,超出此前预期的 3%。
外媒称,存储行业人士表示,芯片制造商的存储芯片库存下跌速度,没有他预料的那么快,库存过剩问题可能延续至 2024 年上半年,目前第四季度交货价格比预期要差。
而当下产业预估的情况是“存储芯片价格明年年初会上涨”,不过外媒表示,若价格跌势未能按预期扭转,相关产业产品“涨价的时间点将不可避免地延后”。
据悉,三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存,在上半年结束时已增至 33.69 万亿韩元,高于去年年底时的 29.06 万亿韩元。SK 海力士在上半年结束时的库存为 16.42 万亿韩元(当前约 894.89 亿元人民币),较去年年底也增加了 5%。
广告声明:文内含有的对外跳转链接,用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。
郑重声明:此文内容为本网站转载企业宣传资讯,目的在于传播更多信息,与本站立场无关。仅供读者参考,并请自行核实相关内容。
|